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2SJ549	文件：56.25 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：56.25 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ549	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：97.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ549	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ549L	文件：56.25 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：56.25 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ549L	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：97.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ549L-E	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：97.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ549S	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：97.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ549S	文件：56.25 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：56.25 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ549STL-E	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：97.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ549(L)_15	文件：116.92 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：116.92 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
230
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
150
Ciss (pF) 典型值：
580
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ549供应商更新时间2025-10-12 17:06:00

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