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2SJ549	文件：56.25 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ549	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ549	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching;	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ549L	文件：56.25 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ549L	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ549L-E	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ549S	文件：56.25 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ549S	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ549STL-E	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ549(L)/(S)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P-Channel MOS FET;	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
230
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
150
Ciss (pF) 典型值：
580
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	2SJ549	HITACHI/日立	24+	TO-262	500201	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SJ549	HIT	24+	TO-251	20000		询价
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更多2SJ549供应商更新时间2025-7-29 12:02:00

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