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2SJ532-E	文件：88.9 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.9 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ532	文件：88.9 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.9 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ532	文件：51.99 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：51.99 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ605-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO263	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SJ652-1E	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO-220-3	ON 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	ON

更多2SJ532-E供应商更新时间2025-10-13 11:06:00