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2SJ543	文件：53.61 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：53.61 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ543	文件：88.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.41 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ543	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ543	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ543-E	文件：88.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.41 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ543_15	文件：107.86 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：107.86 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SJ543供应商更新时间2025-11-20 16:30:00