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2SJ549STL-E	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：97.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ549	文件：56.25 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：56.25 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ549	文件：97.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：97.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ549(L)_15	文件：116.92 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：116.92 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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