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2SJ552STL-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552(L)_15	文件：115.37 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552L	文件：255.41 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.055Ω(MAX)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SJ552L	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552L	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552L-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552S	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ552S	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFET HighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

详细参数

型号：
2SJ552STL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ552STL-E供应商更新时间2025-7-29 11:10:00

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