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2SJ550	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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2SJ550L-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550S	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ550S	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550STL-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ551	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.050Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ551	文件：55.76 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.050Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

详细参数

型号：
2SJ55
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET

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更多2SJ55供应商更新时间2025-5-24 17:06:00

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