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2SJ550	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：56.87 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ550	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SJ550L-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SJ550S	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ550STL-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.64 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ551	文件：55.76 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：55.76 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ551	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ55
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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