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2SJ550L	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550L	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ550L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
2SJ550L-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550S	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ550S	文件：1.87712 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ550S	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550STL-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-15
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
155
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
95
Ciss (pF) 典型值：
850
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ550L供应商更新时间2025-7-29 17:06:00

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