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2SJ550L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

文件:56.87 Kbytes 页数:9 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ550L

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:95.64 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ550L-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:95.64 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ550L

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    LDPAK(L)/TO-262

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -15

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    155

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    95

  • Ciss (pF) 典型值:

    850

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    50

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HITACHI/日立
2024
TO-262
500203
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NEXPERIA/安世
23+
SOT108-1
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RENESAS
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TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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NEC
2022+
12888
原厂代理 终端免费提供样品
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RENESAS
21+
TO-252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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R
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TO-263
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RENESAS
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TO-263
36900
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HITACHI/日立
24+
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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RENESAS
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TO-263
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NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
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更多2SJ550L供应商 更新时间2025-10-5 17:06:00