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2SK1058-E	文件：72.48 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162 Features • Good frequency characteristic • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with 文件：72.48 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SK1058-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 160V 7A TO3P	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1058	文件：40.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058 Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162 Features • Good frequency characteristic • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary charac 文件：40.07 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1058	文件：72.48 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162 Features • Good frequency characteristic • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with 文件：72.48 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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产品属性

产品编号：
2SK1058-E
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
7A（Ta）
Vgs（最大值）：
±15V
功率耗散（最大值）：
100W（Tc）
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-3P
封装/外壳：
TO-220-3 整包
描述：
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

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