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2SK1775-E	文件：82.34 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.34 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1775	文件：344.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 8.0A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：344.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1775	文件：318.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1775	文件：82.34 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.34 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多2SK1775-E供应商更新时间2026-4-17 11:39:00