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2SK1058-E 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 RENESAS/瑞萨

2SK1058-E参考图片

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1+
  • 厂家型号:

    2SK1058-E

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    RENESAS/瑞萨

  • 库存数量:

    32078

  • 产品封装:

    原厂封装

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2024-5-16 16:46:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:2SK1058-E品牌:Renesas(瑞萨)

10年以上分销商,原装进口件,服务型企业

2SK1058-E是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。制造商Renesas(瑞萨)/Renesas Electronics America Inc生产封装原厂封装/TO-220-3 整包的2SK1058-E晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

  • 芯片型号:

    2SK1058-E

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    RENESAS【瑞萨】详情

  • 厂商全称:

    Renesas Electronics America

  • 中文名称:

    瑞萨科技有限公司

  • 内容页数:

    8 页

  • 文件大小:

    91.25 kb

  • 资料说明:

    Silicon N Channel MOS FET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    2SK1058-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    7A(Ta)

  • Vgs(最大值):

    ±15V

  • 功率耗散(最大值):

    100W(Tc)

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

供应商

  • 企业:

    深圳市正纳电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    杨先生/杨小姐

  • 手机:

    15986777949

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