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2SK1317	文件：48.9 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • High breakdown voltage VDSS= 1500 V • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter and motor driver 文件：48.9 Kbytes 页数：8 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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更多2SK1317-E供应商更新时间2025-12-24 9:57:00