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2SJ550S	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ550S	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550S	文件：1.87712 Mbytes Page：7 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ550S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
2SJ550STL-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550	文件：941.18 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ550	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ550(L)_15	文件：115.18 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550L	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-15
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
155
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
95
Ciss (pF) 典型值：
850
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	2SJ550S	NEC	24+	TO-263	503131	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SJ550S	R	24+	TO-263	5000	只做原装公司现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SJ550S	RENESAS	20+	TO-263	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	2SJ550S	HIT	01+	TO-263	5800	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SJ550S	HITACHI/日立	24+	NA/	5996	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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更多2SJ550S供应商更新时间2025-7-29 17:06:00

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