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2SJ550STL-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ550	文件：941.18 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
2SJ550STL-E
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-(1) T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ550STL-E供应商更新时间2025-5-22 23:00:00

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