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2SJ600	文件：40.96 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A) RDS(on)2 = 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A) • Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. • Built- 文件：40.96 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ600	文件：246.43 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A) RDS(on)2 = 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A) • Low in 文件：246.43 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ600	文件：51.19 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Transistor 文件：51.19 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ600	文件：993.54 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：993.54 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ600-Z	文件：40.96 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A) RDS(on)2 = 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A) • Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. • Built- 文件：40.96 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ600-Z	文件：246.43 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A) RDS(on)2 = 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A) • Low in 文件：246.43 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ600_15	文件：247.04 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：247.04 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ600-Z	文件：964.47 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET 文件：964.47 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ600-Z_15	文件：964.47 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET 文件：964.47 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ600-Z-E1-AZ	文件：1.73379 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.73379 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

ID (A)：
-25
Nch/Pch：
Pch
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
0.05
Number of Channels：
Single
Production Status：
Non-promotion
VDSS (V) max.：
-60

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更多2SJ600供应商更新时间2025-10-4 11:03:00

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