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2SJ554-E	文件：90.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.028 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：90.07 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ554	文件：90.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.028 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：90.07 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ554	文件：55.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：55.04 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ605-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SJ652-1E	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220-3	ON 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	ON

更多2SJ554-E供应商更新时间2025-12-4 15:20:00