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2SJ574	文件：39.95 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching Features •Lowon-resistance RDS=1.1Ωtyp.(VGS=-10V,ID=-150mA) RDS=2.2Ωtyp.(VGS=-4V,ID=-150mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(MPAK)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ574	文件：58.86 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching Features •Lowon-resistance RDS=1.1Ωtyp.(VGS=–10V,ID=–150mA) RDS=2.2Ωtyp.(VGS=–4V,ID=–150mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(MPAK)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ574	文件：980.15 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ574_11	文件：99.81 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ574_15	文件：244.76 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ574BP91TL	文件：980.2 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ574BPTL	文件：980.18 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

更多2SJ574供应商更新时间2025-5-25 14:00:00