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Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features •Lowon-resistance RDS=2.8Ωtyp.(VGS=-10V,ID=-50mA) RDS=5.7Ωtyp.(VGS=-4V,ID=-50mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(MPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi

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Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features •Lowon-resistance RDS=2.8Ωtyp.(VGS=-10V,ID=-50mA) RDS=5.7Ωtyp.(VGS=-4V,ID=-50mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(MPAK)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多2SJ575供应商更新时间2025-5-15 14:00:00