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2SJ607-S	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-S	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-Z	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-Z	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-ZJ	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-ZJ	文件：1.5285 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-83A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ607-ZJ	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ607-AZ
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Cut Tape
功能描述：
Pch -60V -83A 11m@10V TO220AB Bulk
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Pch MOSFET,60V,83A,9.1m ohm,TO-220AB
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威雅利发展有限公司	2SJ607-AZ	RENESAS	19+	TO-220	5000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	2SJ607-AZ	RENESAS	2023+	TO-220	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市中福国际管理有限公司	2SJ607-AZ	RENESAS	24+	TO-220	10000	公司现货	询价
惠芯易购（深圳）科技有限公司	2SJ607IC	NEC	08+	TO-220	19	只做原装正品	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	2SJ607IC	NEC	24+	TO-220	43200	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SJ607J607	NEC	24+	TO-220	5000	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市天芯威科技有限公司	2SJ607J607	NEC	22+23+	TO-220	8000	新到现货，只做原装进口	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	2SJ607J607	NEC	24+	TO-220	5000	只有原装	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	2SJ607-S	NEC	23+	T0-262	35890		询价
深圳市一线半导体有限公司	2SJ607-S	NEC	24+	TO-262	8866		询价

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