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2SJ618

High-Power Amplifier Applications

High-Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VDSS = −180 V • Complementary to 2SK3497

文件:151.59 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SJ618

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

2SJ652-1E

ON
TO-220-3

ON

2SJ673

RENESAS
TO-22F

2SJ74-BL/GR

东芝台产
T092

东芝台产

上传:深圳广友电子有限公司

东芝台产

详细参数

  • 型号:

    2SJ618

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    High-Power Amplifier Applications

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOS
2024
TO-3P(N)
58209
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
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TOS
24+
TO-3P(N)
5000
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TOS
20+
TO-3P(N)
36900
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TOSHIBA/东芝
23+
TO-3P(N)
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TOSHIBA/东芝
22+
TO-3P(N)
6000
十年配单,只做原装
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TOSHIBA/东芝
23+
TO-247
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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TOSHIBA/东芝
24+
NA/
35615
原装现货,当天可交货,原型号开票
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TOS
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TO-3P(N)
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TOSHIBA/东芝
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TO-3P(N)
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TOSHIBA
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TFP
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更多2SJ618供应商 更新时间2025-10-12 17:06:00