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2SJ661

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

2SJ661

P-ChannelPowerMOSFET

Features •ON-resistanceRDS(on)1=29.5mΩ(typ.) •InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) •4Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2SJ661

P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=29.5mΩ(typ.) •InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) •4Vdrive

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

详细参数

  • 型号:

    2SJ661-DL-E

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
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TO-263-3
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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更多2SJ661-DL-E供应商 更新时间2025-5-15 14:53:00