| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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POWERTO-263 |
6000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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7年
留言
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SANYO/三洋263 |
8880 |
26+ |
原装认准芯泽盛世! |
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7年
留言
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1983 |
三年内 |
只做原装正品 |
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2年
留言
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VBSEMI/微碧半导体 |
48000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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更多2SJ683制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
2SJ683-TL-E功能描述:MOSFET P-CH 60V 65A ZP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件










