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2SJ673

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文件:288.76 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ673

Power MOSFETs for Automotive

Support is limited to customers who have already adopted these products.\n\nThe 2SJ673 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −18 A)\n• Low Ciss: Ciss = 4600 pF TYP.\n• Built-in gate protection diode;

Renesas

瑞萨

2SJ673_15

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

文件:288.76 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ673

RENESAS
TO-22F

2SJ74-BL/GR

东芝台产
T092

东芝台产

上传:深圳广友电子有限公司

东芝台产

详细参数

  • 型号:

    2SJ673

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -60V -36A TO-220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多2SJ673供应商 更新时间2025-10-7 10:21:00