2SJ607-S资料使用说明书贸易商瑞萨RENESAS-114ic电子网

首页 >2SJ607-S>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
2SJ607-S	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-S	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-Z	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-Z	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-ZJ	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-ZJ	文件：1.5285 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-83A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ607-ZJ	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ607-S
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	2SJ607-S	NEC	23+	T0-262	35890		询价
深圳市一线半导体有限公司	2SJ607-S	NEC	24+	TO-262	8866		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ607-S	NEC	22+	TO-262	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SJ607-S	NEC	22+	TO-262	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SJ607-S	NEC	23+	TO-262	950	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	2SJ607-S	NEC	21+	TO-262	950	原装现货假一赔十	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	2SJ607-S	NEC	24+	TO-262	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SJ607-S/-Z/-ZJ	NEC	23+	TO-251252	27000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2SJ607-Z	NEC	24+		8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
上海鑫科润电子科技有限公司	2SJ607-Z	NEC	2003+	TO263-3	659	原装现货海量库存欢迎咨询	询价

更多2SJ607-S供应商更新时间2025-7-26 9:51:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号