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2SJ655

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. •4V drive. •Ultrahigh-speed switching. •Motor drive, DC / DC converter. •Avalanche resistance guarantee.

文件:47.25 Kbytes 页数:5 Pages

SANYO

三洋

2SJ655

High Output MOSFETs

ONSEMI

安森美半导体

2SJ673

RENESAS
TO-22F

2SJ74-BL/GR

东芝台产
T092

东芝台产

上传:深圳广友电子有限公司

东芝台产

2SJ79

HITACHI
TO-220

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

上传:深圳市宏捷佳电子科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    2SJ655

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
三洋
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更多2SJ655供应商 更新时间2025-10-12 17:06:00