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2SJ655	文件：47.25 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. •4V drive. •Ultrahigh-speed switching. •Motor drive, DC / DC converter. •Avalanche resistance guarantee. 文件：47.25 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ655	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Output MOSFETs	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SJ673	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-22F	RENESAS 瑞萨上传：深圳市华康联电子科技有限公司	RENESAS
2SJ74-BL/GR	文件：0 bytes Page：0 Pages	T092	东芝台产上传：深圳广友电子有限公司	东芝台产
2SJ79	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	HITACHI

详细参数

型号：
2SJ655
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多2SJ655供应商更新时间2026-1-17 22:59:00

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