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2SJ655	文件：47.25 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •4Vdrive. •Ultrahigh-speedswitching. •Motordrive,DC/DCconverter. •Avalancheresistanceguarantee.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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2SJ655

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P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •4Vdrive. •Ultrahigh-speedswitching. •Motordrive,DC/DCconverter. •Avalancheresistanceguarantee.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

2SJ655

文件：300 bytes

Page：1 Pages

High Output MOSFETs;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
2SJ655
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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