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2SJ77-E	文件：64.87 Kbytes Page：6 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216 Features • Suitable for direct mounting • High forward transfer admittance • Excellent frequency response • Enhancement-mode 文件：64.87 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ77	文件：64.87 Kbytes Page：6 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216 Features • Suitable for direct mounting • High forward transfer admittance • Excellent frequency response • Enhancement-mode 文件：64.87 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ77	文件：33.89 Kbytes Page：6 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Suitable for direct mounting • High forward transfer admittance • Excellent frequency response • Enhancement-mode Application High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216 文件：33.89 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ79	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	HITACHI
2SK1058-E	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	RENESAS 瑞萨上传：深圳市科雨电子有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ77-E
功能描述：
MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ77-E	RENESAS/瑞萨	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SJ77-E	Renesas	25+	TO-TO-220	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多2SJ77-E供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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