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2SJ77-E	文件：64.87 Kbytes Page：6 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highfrequencyandlowfrequencypoweramplifier,highspeedpowerswitching Complementarypairwith2SK213,2SK214,2SK215,2SK216 Features •Suitablefordirectmounting •Highforwardtransferadmittance •Excellentfrequencyresponse •Enhancement-mode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ77-E

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Silicon P Channel MOS FET

Description Highfrequencyandlowfrequencypoweramplifier,highspeedpowerswitching Complementarypairwith2SK213,2SK214,2SK215,2SK216 Features •Suitablefordirectmounting •Highforwardtransferadmittance •Excellentfrequencyresponse •Enhancement-mode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SJ77

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SiliconPChannelMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SJ77

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SiliconP-ChannelMOSFET

Features •Suitablefordirectmounting •Highforwardtransferadmittance •Excellentfrequencyresponse •Enhancement-mode Application Highfrequencyandlowfrequencypoweramplifier,highspeedpowerswitching Complementarypairwith2SK213,2SK214,2SK215,2SK216

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi

详细参数

型号：
2SJ77-E
功能描述：
MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	2SJ77-E	RENESAS	2014+		5	公司现货库存	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ77-E	RENESAS/瑞萨	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
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深圳市弘为电子有限公司	2SJ78	HITACHI	24+	TO-220	500	原装现货假一罚十	询价
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深圳市豪迈兴电子有限公司	2SJ79		24+		8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价

更多2SJ77-E供应商更新时间2025-7-29 16:00:00

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