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2SK1057	文件：40.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058 Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162 Features • Good frequency characteristic • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary charac 文件：40.07 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1057	文件：72.48 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162 Features • Good frequency characteristic • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with 文件：72.48 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1057	文件：91.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET 文件：91.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1057	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK1057-E	文件：72.48 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162 Features • Good frequency characteristic • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with 文件：72.48 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1057-E	文件：91.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET 文件：91.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Vgs (off) (V) max.：
1.45
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
15
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
100
Configuration [Device]：
Built-In SBD
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
140
Mounting Type：
Through Hole
ID (A)：
7
Package Type：
TO-3P
Ciss (pF) typ.：
600
Production Status：
Non-promotion

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