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2SJ687-ZK-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10A) RDS(on)3=20mΩMAX. | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | |
2SJ687-ZK-E1-AY | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | |
2SJ687-ZK-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
详细参数
- 型号:
2SJ687-ZK-E1-AY
- 功能描述:
MOSFET P-CH -20V -20A TO-252
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
询价 | ||
RENESAS |
2020+ |
TO252 |
2500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
RENESAS |
25+23+ |
TO252 |
11296 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Renesas |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO252 |
9860 |
原装现货/放心购买 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
N |
22+ |
TO252-2 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
RENESAS |
1533+ |
TO-252 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
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