首页>2SJ687-ZK-E1-AY>规格书详情

2SJ687-ZK-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SJ687-ZK-E1-AY
厂商型号

2SJ687-ZK-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

276.82 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-1 16:22:00

人工找货

2SJ687-ZK-E1-AY价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

2SJ687-ZK-E1-AY规格书详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −10 A)

RDS(on)3 = 20 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −10 A)

• 2.5 V drive available

• Avalanche capability ratings

产品属性

  • 型号:

    2SJ687-ZK-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -20V -20A TO-252

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
询价
RENESAS
25+23+
TO252
11296
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
Renesas
21+
TO-252
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
询价
RENESAS
2511
TO-252
4880
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
Renesas Electronics America
2022+
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
RENESAS
2022+
TO252
20000
只做原装进口现货.假一罚十
询价
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
1176
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
RENESAS
24+
TO-252
16900
原装正品现货支持实单
询价
N
25+
TO252-2
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
询价