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2SJ652	文件：255.5 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive 文件：255.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SJ652	文件：41.19 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive 文件：41.19 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ652	文件：113.72 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：113.72 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ652	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ 2SJ652 is a P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ, TO-220F-3SG for General-purpose Swiching Device Application. It features low on-resistance, ultra-high speed switching and 4.0V drive. • Low on-resistance 28.5mΩ (typ) \n• 4.0V drive\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SJ652-1E	文件：255.5 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive 文件：255.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SJ652_12	文件：113.72 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：113.72 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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更多2SJ652供应商更新时间2025-11-30 9:04:00