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2SJ603-ZJ	文件：79.97 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •Lowinputcapacitance: Ciss=1	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ603-ZJ	文件：1.58426 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-25A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ603-ZJ	文件：215.12 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ603	文件：79.97 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •Lowinputcapacitance: Ciss=1	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ603	文件：215.12 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ603	文件：49.7 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=48mMAX.(VGS=-10V,ID=-13A) RDS(on)2=75mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-13A) ●LowCiss:Ciss=1900pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ603-S	文件：79.97 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •Lowinputcapacitance: Ciss=1	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ603-S	文件：215.12 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ603-Z	文件：215.12 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ603-Z	文件：79.97 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ603isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=48mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=75mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−13A) •Lowinputcapacitance: Ciss=1	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ603-ZJ
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ603-ZJ供应商更新时间2025-5-25 14:00:00

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