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2SJ605-S	文件：84.08 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–33A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ605-S	文件：219.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ605-ZJ	文件：1.56907 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-65A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ605-ZJ	文件：84.08 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–33A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ605-AZ
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	2SJ605-AZ	RENESAS/瑞萨	2447	TO-220	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳深宇韬电子科技有限公司	2SJ605-AZ	RENESAS	2023+	TO-220	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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北京天阳诚业科贸有限公司	2SJ605-AZ	RENESAS	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
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更多2SJ605-AZ供应商更新时间2025-5-28 11:01:00

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