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2SJ605	文件：219.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ605	文件：49.65 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistors Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mMAX.(VGS=-10V,ID=-33A) RDS(on)2=31mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-33A) ●Lowinputcapacitance Ciss=4600pFTYP.(VDS=-10V,VGS=0A) ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ605	文件：84.08 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–33A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ605-S	文件：84.08 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–33A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ605-S	文件：219.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ605-Z	文件：219.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ605-Z	文件：84.08 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–33A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ605-ZJ	文件：219.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ605-ZJ	文件：1.56907 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-65A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ605-ZJ	文件：84.08 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ605isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–33A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–33A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ605-Z-AZ
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 65A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	2SJ605-Z-E1	RENESAS	13+PBF	TO-263	300	优势	询价
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更多2SJ605-Z-AZ供应商更新时间2025-5-29 14:51:00

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