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2SJ607-ZJ	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-ZJ	文件：1.5285 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-83A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ607-ZJ	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607	文件：50.09 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-42A) ●LowCiss:Ciss=7500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ607	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-S	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-S	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-Z	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-Z	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ607-ZJ
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SJ607-ZJ	NEC	24+	TO-263	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	2SJ607-ZJ	NEC	23+	TO-263	11759	全新原装	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ607-ZJ	RENESAS/瑞萨	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SJ607-ZJ	NEC	23+	TO-263	222321	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SJ607-ZJ	NEC	22+	SOT263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SJ607-ZJ	RENESAS/瑞萨	2022+	TO-263	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SJ607-ZJ	NEC	25+	TO-263	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市仟禧电子有限公司	2SJ607-ZJMOS(场效应管)	NEC	22+	SOT263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳庞田科技有限公司	2SJ607-ZJ-E1	NEC	2023+环保现货	TO-263	18000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SJ607-ZJ-E1	NEC	23+		2800	正品原装货价格低	询价

更多2SJ607-ZJ供应商更新时间2025-5-23 16:30:00

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