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2SJ606-ZJ	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ606-ZJ	文件：1.53844 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-83A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ606-ZJ	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ606	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ606	文件：50.01 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=15mMAX.(VGS=-10V,ID=-42A) RDS(on)2=23mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-42A) ●LowCiss:Ciss=4800pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ606	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ606-S	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ606-S	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ606-Z	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ606-Z	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ606-ZJ
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ606-ZJ供应商更新时间2025-5-16 16:30:00

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