Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS = 8.5 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -25 mA) RDS = 15 typ. (VGS = -2.5 V , ID = -10 mA) • 2.5 V gate drive device. • Small package (SMPAK)

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

• Low on-resistance\n• 2.5 V gate drive device.\n• Small package (SMPAK);

HITACHI

日立

TO263

RENESAS

瑞萨

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TO-220-3

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TO-22F

RENESAS

瑞萨

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