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2SJ604	文件：80.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ604	文件：49.38 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Transistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=30mMAX.(VGS=-10V,ID=-23A) RDS(on)2=43mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-23A) ●LowCiss:Ciss=3300pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ604	文件：215.24 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ604-S	文件：80.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ604-S	文件：215.24 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ604-Z	文件：80.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ604-Z	文件：215.24 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ604-ZJ	文件：80.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •Lowinput	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ604-ZJ	文件：1.59262 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-45A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ604-ZJ	文件：215.24 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ604isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−23A) RDS(on)2=43mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−23A) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ604
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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