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2SJ588

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features •Lowon-resistance RDS=2.8Ωtyp.(VGS=-10V,ID=-50mA) RDS=5.7Ωtyp.(VGS=-4V,ID=-50mA) •4Vgatedrivedevice.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

详细参数

  • 型号:

    2SJ588

  • 制造商:

    HITACHI

  • 制造商全称:

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HIT
24+
TO-92
20000
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更多2SJ588供应商 更新时间2025-5-22 16:30:00