Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA) RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device.

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

• Low on-resistance\n   RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA)\n   RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA)\n• 4 V gate drive device.;

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