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2SJ598	文件：154.49 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ598isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=130mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6A) RDS(on)2=190mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–6A) •Low	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ598	文件：243.33 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ598isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=130mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6A) RDS(on)2=190mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–6A) •LowCi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ598	文件：49.48 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Transistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ598	文件：976.23 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ598-Z	文件：243.33 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ598isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=130mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6A) RDS(on)2=190mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–6A) •LowCi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ598-Z	文件：261.17 Kbytes Page：2 Pages	Isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=130mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Solenoid,motorandlampdriver	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SJ598-Z	文件：154.49 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ598isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=130mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–6A) RDS(on)2=190mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–6A) •Low	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ598_15	文件：243.94 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ598-Z	文件：1.69958 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ598-Z-E1-AZ	文件：988.38 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2SJ598
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

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