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2SJ551L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

文件:55.76 Kbytes 页数:9 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ551L

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:95.41 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ551L-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:95.41 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ551L

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    LDPAK(L)/TO-262

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -18

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    110

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    65

  • Ciss (pF) 典型值:

    1300

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    60

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HITACHI/日立
17+
262
31518
原装正品 可含税交易
询价
24+
67
询价
NEXPERIA/安世
23+
SOT337-1
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
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RENESAS
21+
TO-252
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
32500
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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RENESAS/瑞萨
24+
NA/
22800
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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RENESAS/瑞萨
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
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RENESAS
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TO-263
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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RENESAS/瑞萨
24+
TO-263
60000
询价
更多2SJ551L供应商 更新时间2025-10-6 14:04:00