2SJ533资料使用说明书供应代理日立Hitachi-114ic电子网

首页 >2SJ533>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SJ533	文件：52.99 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：52.99 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ533	文件：88.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS (on)= 0.028 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ533	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch Single Power Mosfet -60V -30A 0.037Mohm To220Cfm The 2SJ533 is a Pch Single Power Mosfet -60V -30A 0.037Mohm To220Cfm.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ533	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ533-E	文件：88.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS (on)= 0.028 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SJ533供应商更新时间2025-10-9 16:30:00