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2SJ533	文件：52.99 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：52.99 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ533	文件：88.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS (on)= 0.028 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ533	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch Single Power Mosfet -60V -30A 0.037Mohm To220Cfm The 2SJ533 is a Pch Single Power Mosfet -60V -30A 0.037Mohm To220Cfm.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ533	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ533-E	文件：88.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS (on)= 0.028 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SJ533供应商更新时间2026-1-17 16:30:00