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2SJ541	文件：53.31 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：53.31 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ541	文件：88.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.15 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ541	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ541	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ541-E	文件：88.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.15 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ541_15	文件：107.74 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：107.74 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多2SJ541供应商更新时间2025-10-7 14:14:00