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2SJ540	文件：53.89 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.89 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ540	文件：89.82 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：89.82 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ540	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ540	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ540-E	文件：89.82 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：89.82 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ540_15	文件：109.56 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：109.56 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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