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2SJ539	文件：54.46 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features · Low on-resistance RDS(on) = 0.16 Wtyp. · Low drive current · 4 V gete drive devices · High speed switching 文件：54.46 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ539	文件：88 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：88 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ539	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching · Low on-resistance\n RDS(on) = 0.16 Wtyp.\n· Low drive current\n· 4 V gete drive devices\n· High speed switching;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ539	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ539-E	文件：88 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.16 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：88 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ539_15	文件：107.62 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：107.62 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
360
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
210
Ciss (pF) 典型值：
400
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
40
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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深圳市一线半导体有限公司	2SJ539		24+		75000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SJ539	RENESAS/瑞萨	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳深宇韬电子科技有限公司	2SJ539	RENESAS	2023+	TO-220	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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