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2SJ555	文件：54.29 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：54.29 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ555	文件：90.03 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：90.03 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ555	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance\n RDS(on)= 0.017Ω typ.\n• Low drive current.\n• 4V gate drive devices.\n• High speed switching.;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ555	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ555-E	文件：90.03 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：90.03 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ555_15	文件：109.35 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：109.35 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-60
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
36
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
22
Ciss (pF) 典型值：
4100
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
125
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SJ555	HIT	24+	TO-3P	20000		询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SJ555	HITACHI	23+	TO-3P	900	专做原装正品,假一罚百!	询价
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深圳深宇韬电子科技有限公司	2SJ555	RENESAS	2023+	TO-3P	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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更多2SJ555供应商更新时间2025-10-13 16:30:00

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