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2SJ553	文件：57.14 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.14 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ553	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ553	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ.\n• Low drive current.\n• 4V gate drive devices.\n• High speed switching.;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ553L	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ553L	文件：57.14 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.14 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ553L-E	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ553S	文件：57.14 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.14 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ553S	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ553STL-E	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ553(L)_15	文件：115.51 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：115.51 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
55
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
37
Ciss (pF) 典型值：
2500
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
75
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ553供应商更新时间2025-10-13 10:12:00

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