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2SJ553STL-E	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ553	文件：57.14 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.14 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ553	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ553(L)_15	文件：115.51 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：115.51 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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