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2SJ553STL-E	文件：96.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET •Lowon-resistanceRDS(on)=0.028Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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