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2SJ560	文件：184.01 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive. 文件：184.01 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ561	文件：159.55 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. 文件：159.55 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ562	文件：147.39 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultra high-Speed Switching Applications Features · Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive. 文件：147.39 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ563	文件：140.18 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. 文件：140.18 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ567	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ567	文件：234.93 Kbytes Page：6 Pages	Switching Applications Switching Applications Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 2.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −100 μA (max) (VDS = −200 V) • Enhancement model: Vth = −1.5 文件：234.93 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ567(TE16L1,NQ)	文件：182.65 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (-MOSV) Switching Applications Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 2.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −100 μA (max) (VDS = −200 V) • Enhancement model: Vth = −1.5 文件：182.65 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ569LS	文件：29.37 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. 文件：29.37 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ562	文件：985.8 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：985.8 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ567	文件：184.21 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (MOSV) 文件：184.21 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SJ56
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Ultrahigh-Speed Switching Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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