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2SJ548	文件：52.5 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：52.5 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ548	文件：89.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：89.02 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ548	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ548	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ548-E	文件：89.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：89.02 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ548_15	文件：108.44 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：108.44 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SJ548供应商更新时间2025-10-6 14:30:00