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2SJ528	文件：53.48 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.48 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ528	文件：94.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.77 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ528	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ528L	文件：94.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.77 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ528L	文件：53.48 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.48 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ528L-E	文件：94.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.77 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ528S	文件：53.48 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.48 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ528S	文件：94.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.77 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ528S	文件：45.53 Kbytes Page：1 Pages	Hight Speed Power Switching Features • Low on-resistance • RDS(on) = 0.17 typ. • High speed switching • 4V gate drive devices. 文件：45.53 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ528STL-E	文件：94.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.17 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.77 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-7
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
370
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
220
Ciss (pF) 典型值：
400
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SJ528	TOSHIBA	24+		60000		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ528	HITACHI/日立	2022+	TO-252	10600	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SJ528	RENESAS/瑞萨	23+	TO251	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳庞田科技有限公司	2SJ528	HITACHI	2023+环保现货	TO-252	18000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	2SJ528	HITACHI/日立	23+	TO-252	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	2SJ528	HITACHI/日立	23+	TO-252	7000		询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司	2SJ528	HITACHI	24+	TO-252	4200	只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SJ528STR	RENESAS	24+	TO252	5000	全现原装公司现货	询价

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