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2SJ527	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ527(L)_15	文件：113.42 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527L	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ527L	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527L-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527S	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ527S	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	HightSpeedPowerSwitching HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.3typ. Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ527STL-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527STR	文件：988.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2SJ527S-E
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	2SJ527S-E	RENESAS	2017+	TO252	35655	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	2SJ527S-E	RENESAS	12/2010	TO252	4100	低价支持实单!全新现货!	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SJ527S-E	RENESAS	24+	TO-252	5000	只做原装公司现货	询价
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深圳市华斯顿科技有限公司	2SJ527S-E	RENESAS	22+23+	TO252	33358	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市正纳电子有限公司	2SJ527S-E	RENESAS	ROHS+Original	NA	2198	专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SJ527S-E1	RENESAS	2023+	null	5833	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SJ527S-E1	RENESAS	2023+	null	5833	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SJ527SMOS(场效应管)	RENESAS/瑞萨	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	2SJ527SMOS(场效应管)	RENESAS/瑞萨	2022	TO-252	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价

更多2SJ527S-E供应商更新时间2024-5-21 8:54:00

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